| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 10 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
关于 STPSC20H065CTY
STPSC20H065CTY 是由 意法半导体 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE SCHOTTKY SIC 650V TO220AB。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A。
STPSC20H065CTY 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 µA @ 650 V）、Operating Temperature - Junction（-40°C ~ 175°C）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-3） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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STPSC20H065CTY 是由 意法半导体 制造的 二极管阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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