| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 48 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 194 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 49 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/88ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package | TO-262 |
关于 RGT50NS65DGC9
RGT50NS65DGC9 是由 ROHM Semiconductor 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT TRENCH FIELD 650V 48A TO262。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 48 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A。
RGT50NS65DGC9 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（194 W）、Input Type（Standard）、Gate Charge（49 nC）、Td (on/off) @ 25°C（27ns/88ns）、Test Condition（400V, 25A, 10Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
ROHM Semiconductor 单 IGBT 产品 RGT50NS65DGC9
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