| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 345 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 15A |
| Power - Max | 176 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Logic |
| Gate Charge | 49 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 1.1µs/26.5µs |
| Test Condition | 300V, 15A, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
关于 STGB35N35LZ-1
STGB35N35LZ-1 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 345V 40A 176W I2PAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 345 V、Current - Collector (Ic) (Max): 40 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A、Power - Max: 176 W。
STGB35N35LZ-1 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Type（Logic）、Gate Charge（49 nC）、Td (on/off) @ 25°C（1.1µs/26.5µs）、Test Condition（300V, 15A, 5V）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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STGB35N35LZ-1 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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