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IXYP30N120A4

¥111.33
单 IGBT
力特

IGBT DISCRETE TO-220

参数名称参数值
Product StatusActive
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)106 A
Current - Collector Pulsed (Icm)184 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 25A
Power - Max500 W
Switching Energy4mJ (on), 3.4mJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge57 nC
Td (on/off) @ 25°C15ns/235ns
Test Condition960V, 25A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)42 ns
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220 (IXYP)

关于 IXYP30N120A4

IXYP30N120A4 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT DISCRETE TO-220。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 106 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A、Power - Max: 500 W。

IXYP30N120A4 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy(4mJ (on), 3.4mJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(57 nC)、Td (on/off) @ 25°C(15ns/235ns)、Test Condition(960V, 25A, 5Ohm, 15V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 力特:力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件,从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合,同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分,他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器;以及提供安全控制和分配电能的产品。

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IXYP30N120A4 是什么类型的电子元器件?

IXYP30N120A4 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

哪里可以查看 IXYP30N120A4 的规格书和引脚图?

本页面提供 IXYP30N120A4 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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