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IXYP20N120A4

¥107.44
单 IGBT
力特

IGBT DISCRETE TO-220

参数名称参数值
Product StatusActive
IGBT TypePT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)135 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 20A
Power - Max375 W
Switching Energy3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge46 nC
Td (on/off) @ 25°C12ns/275ns
Test Condition960V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)54 ns
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220 (IXYP)

关于 IXYP20N120A4

IXYP20N120A4 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT DISCRETE TO-220。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A。

IXYP20N120A4 共有 17 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max(375 W)、Switching Energy(3.6mJ (on), 2.75mJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(46 nC)、Td (on/off) @ 25°C(12ns/275ns) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 力特:力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件,从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合,同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分,他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器;以及提供安全控制和分配电能的产品。

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IXYP20N120A4 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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新闻资讯

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