| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 340 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 760 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 100A |
| Power - Max | 1360 W |
| Switching Energy | 1.34mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 250 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/168ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXYH) |
关于 IXYH120N65B3
IXYH120N65B3 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 340 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 760 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A。
IXYH120N65B3 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（1360 W）、Switching Energy（1.34mJ (on), 1.5mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（250 nC）、Td (on/off) @ 25°C（30ns/168ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 力特：力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件，从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合，同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分，他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；以及提供安全控制和分配电能的产品。
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IXYH120N65B3 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
力特 单 IGBT 产品 IXYH120N65B3
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