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STGW60V60F

¥0.00
单 IGBT
意法半导体

IGBT 600V 80A 375W TO247

参数名称参数值
Product StatusActive
IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)240 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 60A
Power - Max375 W
Switching Energy750µJ (on), 550µJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge334 nC
Td (on/off) @ 25°C60ns/208ns
Test Condition400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3

关于 STGW60V60F

STGW60V60F 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 80A 375W TO247。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A。

STGW60V60F 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max(375 W)、Switching Energy(750µJ (on), 550µJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(334 nC)、Td (on/off) @ 25°C(60ns/208ns) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 意法半导体:意法半导体是一家全球独立的半导体公司,是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合以及战略合作伙伴关系,使其在系统级芯片(SoC)技术的前沿占据领先地位,其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。

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STGW60V60F 是什么类型的电子元器件?

STGW60V60F 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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本页面提供 STGW60V60F 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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