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RGTH40TS65GC11

¥0.00
单 IGBT
罗姆半导体

IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N

参数名称参数值
Product StatusNot For New Designs
IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 20A
Power - Max144 W
Switching Energy-
Input TypeStandard
Gate Charge40 nC
Td (on/off) @ 25°C22ns/73ns
Test Condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247N

关于 RGTH40TS65GC11

RGTH40TS65GC11 是由 罗姆半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N。该器件的核心参数包括:Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 40 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A。

RGTH40TS65GC11 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max(144 W)、Input Type(Standard)、Gate Charge(40 nC)、Td (on/off) @ 25°C(22ns/73ns)、Test Condition(400V, 20A, 10Ohm, 15V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 罗姆半导体:罗姆公司成立于1958年,总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件,这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。

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RGTH40TS65GC11 是什么类型的电子元器件?

RGTH40TS65GC11 是由 罗姆半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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本页面提供 RGTH40TS65GC11 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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