| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1337 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 267W |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
关于 SCT3040KW7TL
SCT3040KW7TL 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V。
SCT3040KW7TL 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5.6V @ 10mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（107 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1337 pF @ 800 V）、Power Dissipation (Max)（267W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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新闻资讯
罗姆半导体 单 FET、MOSFET 产品 SCT3040KW7TL
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