| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 230mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34 pF @ 30 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
关于 BSS84T116
BSS84T116 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CH 60V 230MA SST3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
BSS84T116 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（5.3Ohm @ 230mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 100µA）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（34 pF @ 30 V）、Power Dissipation (Max)（200mW (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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新闻资讯
罗姆半导体 单 FET、MOSFET 产品 BSS84T116
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