| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 24A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 11A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
关于 RQ3E110AJTB
RQ3E110AJTB 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V。
RQ3E110AJTB 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（11.7mOhm @ 11A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（13.5 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1500 pF @ 15 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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RQ3E110AJTB 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
本页面提供 RQ3E110AJTB 规格书（Datasheet）的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料，方便您选型参考。
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新闻资讯
罗姆半导体 单 FET、MOSFET 产品 RQ3E110AJTB
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