| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
关于 STB8NM60D
STB8NM60D 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
STB8NM60D 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1Ohm @ 2.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（18 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（380 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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STB8NM60D 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
意法半导体 单 FET、MOSFET 产品 STB8NM60D
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