| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
关于 RCX330N25
RCX330N25 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
RCX330N25 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs (Max)（±30V）、Power Dissipation (Max)（2.23W (Ta), 40W (Tc)）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole）、Supplier Device Package（TO-220FM） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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RCX330N25 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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