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STT5N2VH5

¥4.32
单 FET、MOSFET
意法半导体

MOSFET N-CH 20V SOT23-6

参数名称参数值
Product StatusNot For New Designs
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds367 pF @ 16 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23-6
Package / CaseSOT-23-6

关于 STT5N2VH5

STT5N2VH5 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 20V SOT23-6。该器件的核心参数包括:Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V。

STT5N2VH5 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(30mOhm @ 2A, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(700mV @ 250µA (Min))、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(4.6 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(±8V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(367 pF @ 16 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 意法半导体:意法半导体是一家全球独立的半导体公司,是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合以及战略合作伙伴关系,使其在系统级芯片(SoC)技术的前沿占据领先地位,其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。

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STT5N2VH5 是什么类型的电子元器件?

STT5N2VH5 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

哪里可以查看 STT5N2VH5 的规格书和引脚图?

本页面提供 STT5N2VH5 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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