| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
关于 SCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11 是由 ROHM Semiconductor 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SCT2H12NZGC11 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1.5Ohm @ 1.1A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 900µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（14 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -6V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（184 pF @ 800 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 SCT2H12NZGC11
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