| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.05V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-PMCP |
| Package / Case | 3-SMD, Non-Standard |
关于 FJ3P02100L
FJ3P02100L 是由 松下 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CH 20V 4.4A 3PMCP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V。
FJ3P02100L 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（12.5mOhm @ 3.7A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.05V @ 1mA）、Vgs (Max)（±8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3000 pF @ 10 V）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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