| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 700mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Package / Case | Die |
关于 IXTD1R4N60P 11
IXTD1R4N60P 11 是由 力特 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
IXTD1R4N60P 11 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（9Ohm @ 700mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5.5V @ 25µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5.2 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（140 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 力特：力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件，从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合，同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分，他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；以及提供安全控制和分配电能的产品。
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新闻资讯
力特 单 FET、MOSFET 产品 IXTD1R4N60P 11
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