
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
| Package / Case | TO-247-3 |
关于 IXFH4N100Q
IXFH4N100Q 是由 力特 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
IXFH4N100Q 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(3Ohm @ 2A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(5V @ 1.5mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(39 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1050 pF @ 25 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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新闻资讯
力特 单 FET、MOSFET 产品 IXFH4N100Q
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