| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1900A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 1600A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2900 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | Y3-Li |
| Package / Case | Y3-Li |
关于 VMO1600-02P
VMO1600-02P 是由 力特 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1900A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
VMO1600-02P 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1.7mOhm @ 1600A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（2900 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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新闻资讯
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