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STD3NK60ZD

¥0.00
单 FET、MOSFET
意法半导体

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds311 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)45W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

关于 STD3NK60ZD

STD3NK60ZD 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。

STD3NK60ZD 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(3.6Ohm @ 1.2A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4.5V @ 50µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(11.8 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±30V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(311 pF @ 25 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 意法半导体:意法半导体是一家全球独立的半导体公司,是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合以及战略合作伙伴关系,使其在系统级芯片(SoC)技术的前沿占据领先地位,其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。

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STD3NK60ZD 是什么类型的电子元器件?

STD3NK60ZD 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

哪里可以查看 STD3NK60ZD 的规格书和引脚图?

本页面提供 STD3NK60ZD 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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