| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | - |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
关于 UT6JA2TCR
UT6JA2TCR 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。-30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V、Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA。
UT6JA2TCR 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（6.7nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（305pF @ 15V）、Power - Max（2W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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UT6JA2TCR 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
罗姆半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 UT6JA2TCR
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