| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Power - Max | 1.6W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
关于 STS1DNC45
STS1DNC45 是由 意法半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 450V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V。
STS1DNC45 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3.7V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（160pF @ 25V）、Power - Max（1.6W）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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STS1DNC45 是由 意法半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
本页面提供 STS1DNC45 规格书（Datasheet）的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料，方便您选型参考。
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新闻资讯
意法半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 STS1DNC45
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