| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA, 2V |
| Power - Max | 200 mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Supplier Device Package | UMT3 |
关于 2SC5876T106R
2SC5876T106R 是由 罗姆半导体 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS NPN 60V 0.5A UMT3。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA、Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)。
2SC5876T106R 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（120 @ 50mA, 2V）、Power - Max（200 mW）、Frequency - Transition（300MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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新闻资讯
罗姆半导体 单双极晶体管 产品 2SC5876T106R
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