| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 35 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Supplier Device Package | UMT3F |
关于 DTC914TUBTL
DTC914TUBTL 是由 罗姆半导体 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V。
DTC914TUBTL 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（100mV @ 3mA, 30mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA (ICBO)）、Frequency - Transition（35 MHz）、Power - Max（200 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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DTC914TUBTL 是由 罗姆半导体 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
本页面提供 DTC914TUBTL 规格书（Datasheet）的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料，方便您选型参考。
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新闻资讯
罗姆半导体 单个预偏置双极晶体管 产品 DTC914TUBTL
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