| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 100mA, 3V |
| Power - Max | 2 W |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Supplier Device Package | MPT3 |
关于 2SB1260T100P
2SB1260T100P 是由 ROHM Semiconductor 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS PNP 80V 1A MPT3。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 1 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)。
2SB1260T100P 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（82 @ 100mA, 3V）、Power - Max（2 W）、Frequency - Transition（100MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
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