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BUR51

¥0.00
单双极晶体管
意法半导体

TRANS NPN 200V 60A TO3

参数名称参数值
Product StatusObsolete
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)200 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 5A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max)1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 5A, 4V
Power - Max350 W
Frequency - Transition16MHz
Operating Temperature200°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseTO-204AA, TO-3
Supplier Device PackageTO-3

关于 BUR51

BUR51 是由 意法半导体 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS NPN 200V 60A TO3。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 60 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5A, 50A、Current - Collector Cutoff (Max): 1mA。

BUR51 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(20 @ 5A, 4V)、Power - Max(350 W)、Frequency - Transition(16MHz)、Operating Temperature(200°C (TJ))、Mounting Type(Chassis Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 意法半导体:意法半导体是一家全球独立的半导体公司,是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合以及战略合作伙伴关系,使其在系统级芯片(SoC)技术的前沿占据领先地位,其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。

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BUR51 是什么类型的电子元器件?

BUR51 是由 意法半导体 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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本页面提供 BUR51 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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