| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70V |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 200mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 1.25W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
关于 QSH29TR
QSH29TR 是由 罗姆半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 200mA, 5V。
QSH29TR 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 1mA, 100mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA (ICBO)）、Power - Max（1.25W）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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QSH29TR 是由 罗姆半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
罗姆半导体 双极晶体管阵列，预偏置 产品 QSH29TR
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