| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 150mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Supplier Device Package | EMT5 |
关于 EMA7T2R
EMA7T2R 是由 ROHM Semiconductor 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。TRANS DIGITAL BJT PNP 100MA 5-PI。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 4.7kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V。
EMA7T2R 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（250MHz）、Power - Max（150mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
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