| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 1.25W |
| Frequency - Transition | 300MHz, 270MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Supplier Device Package | TSMT5 |
关于 QS5Y1TR
QS5Y1TR 是由 罗姆半导体 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)、Current - Collector (Ic) (Max): 3A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A、Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)。
QS5Y1TR 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（200 @ 500mA, 2V）、Power - Max（1.25W）、Frequency - Transition（300MHz, 270MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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QS5Y1TR 是由 罗姆半导体 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
罗姆半导体 双极晶体管阵列 产品 QS5Y1TR
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