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RBR1L30ATE25

¥3.82
单二极管
罗姆半导体

DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDS

参数名称参数值
Product StatusNot For New Designs
TechnologySchottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)30 V
Current - Average Rectified (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If480 mV @ 1 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 30 V
Capacitance @ Vr, F-
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDO-214AC, SMA
Supplier Device PackagePMDS
Operating Temperature - Junction150°C (Max)

关于 RBR1L30ATE25

RBR1L30ATE25 是由 罗姆半导体 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDS。该器件的核心参数包括:Product Status: Not For New Designs、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V、Current - Average Rectified (Io): 1A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。

RBR1L30ATE25 共有 11 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Reverse Leakage @ Vr(50 µA @ 30 V)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(DO-214AC, SMA)、Supplier Device Package(PMDS)、Operating Temperature - Junction(150°C (Max)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 罗姆半导体:罗姆公司成立于1958年,总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件,这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。

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新闻资讯

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